摘要：IT之家4 月12 日消息，据韩媒Hankyung 报道，三星最快于本月晚些时候实现第9 代V-NAND 闪存的量产。三星高管Jung-Bae Lee 去年10 月表示，其下一代NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022 年11 月量产了236 层第8 代V-NAND,这意味着两代之后面会介绍。
...IT之家4 月12 日消息，据韩媒Hankyung 报道，三星最快于本月晚些时候实现第9 代V-NAND 闪存的量产。三星高管Jung-Bae Lee 去年10 月表示，其下一代NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022 年11 月量产了236 层第8 代V-NAND,这意味着两代之后面会介绍。
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观点网讯：4月12日，据报道，韩国半导体巨头SK海力士宣布，公司已制定内部路线图，计划在今年第三季度开始量产第6代(1c)10nm级DRAM。这一时间点比另一家韩国电子巨头三星电子的计划提前，后者预计在年底前开始量产同类产品。据悉，SK海力士的这一决定将使其在全球半导体市场中是什么。
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guan dian wang xun ： 4 yue 1 2 ri ， ju bao dao ， han guo ban dao ti ju tou S K hai li shi xuan bu ， gong si yi zhi ding nei bu lu xian tu ， ji hua zai jin nian di san ji du kai shi liang chan di 6 dai ( 1 c ) 1 0 n m ji D R A M 。 zhe yi shi jian dian bi ling yi jia han guo dian zi ju tou san xing dian zi de ji hua ti qian ， hou zhe yu ji zai nian di qian kai shi liang chan tong lei chan pin 。 ju xi ， S K hai li shi de zhe yi jue ding jiang shi qi zai quan qiu ban dao ti shi chang zhong shi shen me 。
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于确定用于MINT的最终PLMN的方法和系统“公开号CN117882443A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种尝试选择允许的PLMN还有呢？
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快科技4月12日消息，根据最新的供应链消息显示，智能手机行业仍处于下行周期，尽管大家期待的换机潮尚未到来。消息透露，手机品牌纷纷下调了全年出货预期。除了苹果已经确定下调了2024年的全年出货预期外，三星电子也做出了相应的调整。研究机构TechInsights预测，到2023年，全球神经网络。
4月12日，巨灵财经数据显示，北向资金11日减持三星医疗预估2297.06万元，累计持股7096.68万股，总计持有市值22.77亿元，占流通股比例5.09%。本文源自金融界
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件“的专利，公开号CN117881182A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括有源区域；单元栅极结构，所述单元栅极结构位于所述衬底中并且在是什么。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117878094A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种半导体器件可以包括：限定沟槽的各部分的第一膜和第二膜、插塞导电膜、通路、以及位于所述沟槽中的布线。所述还有呢？
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于动态三维空间的二维场景重建的设备和方法“公开号CN117876214A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种电子设备，由多个特征提取模型从点信息和时间信息中提取多个特征数据，基于多个等会说。
金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“用于制造具有改善的套刻测量精度的半导体器件的方法“公开号CN117877976A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成台阶键；在台阶键上形成覆说完了。
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金融界2024年4月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储装置及包括其的电子系统“公开号CN117881191A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体存储装置和电子系统，半导体存储装置包括：衬底，衬底包括第一区域和第二等我继续说。
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